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半导体
碳化硅(SiC)
概述

碳化硅(SiC)对比LP-CVD工艺中应用的硅和石英材料,其热导性、耐蚀性、耐化学性更好,而且热膨胀率低,因此可长时间使用的化合物材料. 高纯 SiC 产品在 1,200℃以上的高温下稳定,可应用在半导体扩散工艺及常压 CVD, LP-CVD。高韧性的碳化硅也可应用在切削工具,弹簧,发动机零部件等领域。

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