2016年开始量产销售，目前产品群正在不断扩大。
基于技术力量，坚持朝着CMP研磨液行业的模范企业目标迈进。
| 产品 | 特性 |
|---|---|
| SW-300 | 半导体W布线工艺和调节表面粗糙度使用的低缺陷液 |
| NTS-300 | 选择性研磨氮化硅膜质(~1,000 A/min)，在多晶硅和二氧化硅膜质下可以停止 |
| SWC-100 | 基于胶体氧化铈(Colloidal ceria)的新产品，低刮伤、低凹陷功能 |
| SAC-100 | 采用新一代物质非晶碳膜质的新工艺具有高研磨率和低缺陷的性能 |
| HTC-L-200 | TSV工艺用产品，可以根据客户需求调节氧化硅、铜、氮化硅的研磨率 |
